本報記者 丁蓉

    全球存儲芯片行業景氣度持續提升。從存儲芯片最主要的兩大類產品DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND Flash（閃存存儲器）來看，根據TrendForce集邦咨詢預估數據，2024年第一季度DRAM價格環比增長20%，第二季度增長13%至18%，第三季度將增長8%至13%；NAND Flash第一季度價格環比增長23%至28%，第二季度增長15%至20%，第三季度將增長5%至10%。

    智帆海岸機構首席顧問、資深產業經濟觀察家梁振鵬向《證券日報》記者表示：“存儲芯片的漲價主要基于供需關系變化，漲價初期主要由于存儲大廠控制產能強勢拉動，目前已經逐步轉為由市場需求帶動漲價。”

    存儲芯片今年以來漲價頻繁

    近日，三星已向包括戴爾科技、慧與在內的主要客戶通報了漲價計劃，準備在第三季度將其主要存儲半導體、服務器DRAM和企業級NAND閃存報價提高15%至20%。今年以來，三星已經多次調價。

    除了三星之外，另外兩大存儲巨頭SK海力士和美光公司也頻頻傳出漲價消息。SK海力士5月份稱，將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價。美光公司則在4月份向多數客戶提出調升產品報價。

    從全球市場競爭格局來看，根據集邦咨詢統計的2024年第一季度全球DRAM企業營收數據，三星、SK海力士和美光公司分別占全球存儲市場44%、31%、22%的份額。這三家廠商產品價格的上調，帶動了行業景氣度的整體提升。

    A股存儲賽道頭部企業兆易創新近日在投資者互動平臺表示：“公司DRAM、SLC NAND價格自底部已經實現溫和上漲，其它產品線上公司會持續保持對市場情況的緊密跟蹤，考慮多方因素綜合判斷，隨著市場演變及時做調整。”

    佰維存儲近日在接受投資者調研時表示：“隨著存儲市場將在第三季度進入傳統旺季，受益于人工智能服務器需求迅猛增長等因素，海外存儲需求持續高漲，國內需求有所回落，但整體來看行業景氣度有望延續。”

    上市公司加大研發創新

    “由于全球人工智能產業的快速發展，HBM（高頻寬存儲器）正面臨供不應求的市場現狀，目前市場需求缺口較大。此外，DDR5也是漲幅較大品類。三星、SK海力士與美光公司都積極將DRAM的部分產能轉為生產HBM，導致DRAM供給減少及價格快速上揚。”梁振鵬表示。

    全球內存接口芯片龍頭瀾起科技在內存接口芯片領域潛心研發，先后推出了DDR2至DDR5系列內存接口芯片。瀾起科技近日在接受機構調研時表示：“目前，DDR5世代已經開啟子代迭代，公司研發進度領先，并持續鞏固在該領域的市場領先地位。”

    存儲模組龍頭江波龍自研存儲芯片業務逐步推進，公司具備了從存儲晶圓設計、生產端深入理解各類存儲晶圓特性的能力，形成從小容量存儲到大容量存儲的體系化競爭優勢。對于HBM產品方面，江波龍表示，目前公司雖然無法生產HBM，但子公司元成蘇州具備HBM技術涉及的晶圓高堆疊封裝量產能力。

    作為“半導體行業風向標”，存儲芯片已于2023年下半年率先啟動上漲，并實現價格持續攀升。展望今年下半年，華福證券分析師楊鐘在研報中表示：“人工智能服務器領域需求持續走強，智能手機等仍有庫存回補需求，各品牌廠商與原始設計制造商或將重啟備貨，同時工控與車用領域也有望逐步回暖，從而帶動存儲市場增長，存儲價格可能延續上漲格局。”

（編輯 李波 上官夢露）